000			04921nmm a2200289 4500
999			_c32639 _d32639
001			IS/T--60/06
003			AR-SmCIES
005			20190329102932.0
008			181008s2006 ag ||||fq||d| 00| 0 spa d
035			_aIS/T--60/06
040			_aAR-SmCIES _cAR-SmCIES
100	1		_aQuiroga, Santiago David _92607
245	1		_aCaracterización de propiedades el‚ctricas en dispositivos electrónicos orgánicos.
260			_aBuenos Aires : _bInstituto Sabato, _c2006.
300			_a35 p.
502			_aTrabajo de seminario para optar por el título de Ingeniero en Materiales, 2006. Director: Dr. Stoliar, Pablo. Tutor: Dr. Levy, Pablo. Lugar de realización: Centro Atómico Constituyentes, CNEA. Argentina.
520			_aTransistores orgánicos de efecto de campo (OFETs, por sus iniciales en inglés) desarrollados durante los £ltimos a¤os han producido resultados prometedores, y su utilización en aplicaciones masivas se encuentra en un futuro próximo. Los considerables bajos costos, principalmente, hacen de esta tecnología una alternativa muy interesante para utilizarse en una amplia gama de productos que incluyen una gran cantidad de componentes para electrónica de baja frecuencia y de grandes superficies, tales como pantallas flexibles.Presentamos aquí una serie de resultados obtenidos empleando un equipo particular que ha sido dise¤ado y desarrollado por el propio laboratorio, denominado "Sistema integral para mediciones eléctricas y experimentos en dispositivos orgánicos y nanoestructuras". Esta plataforma experimental ofrece la posibilidad de controlar automáticamente un gran n£mero de parámetros con exactitud y precisión, permitiendo realizar las mediciones eléctricas in-situ sobre las muestras. En particular se han investigado los efectos de cambios en temperatura, presión y condiciones eléctricas a las que se han sometido los dispositivos bajo ensayo. La temperatura se ha podido modificar tanto por encima como por debajo de la ambiente, con el fin de realizar ciclados térmicos y pruebas de repetitibilidad de respuesta. El alto vacío al que se exponían las muestras ha ayudado a trabajar en una atmósfera limpia y bajo control. Se ha llevado a cabo una serie de mediciones variando Vgs, Vds y el tiempo entre dichos modificaciones y el registro de la Id, mientras se analiza el impacto de los cambios mencionados sobre la histéresis, la movilidad y el threshold voltaje. Presentamos una caracterización eléctrica de dispositivos electrónicos orgánicos, basados en la correlación entre las condiciones del medio al que fueron expuestos y su respuesta. Esta técnica permitirá estudiar posteriormente, por ejemplo, los mecanismos de trapping (trampas) y detrapping (liberación de las trampas), diferenciando los fenómenos asociados con los defectos estructurales de aquellos vinculados con las condiciones de la atmósfera impuesta.
520			_aEnglish version: Organic field-effect transistors (OFETs) development during the last years yielded encouraging results, and their employment in consumer applications is near. The considerably lower cost makes this technology attractive for a variety of products including flexible displays and large area low frequency electronic elements. We present a series of results obtained using the Integral system for electrical measurements and experiments of organic devices and nanostructure. This experimental platform offers the possibility to control automatically a number of parameters with accuracy and precision, and make in-situ measurements on the samples. In particular we are investigating the effect of changes in temperature, pressure, atmospheric composition and humidity over the operation of OFETs. The temperature may be both increased and decreased, for thermal treatment and stress testing. The high vacuum or an inert gas atmosphere helps to work in a clean and controlled environment. We performed experiments varying Vgs, Vds and the time between these variations and the reading of Id, while assessing the impact of the changes in the previously described conditions on the hysteresis, mobility and threshold voltage. We present an electrical characterization of organic electronic devices based on the correlation between the environmental conditions and their operations. These techniques may allow us to study the trapping and detrapping mechanisms, discriminating the phenomena caused by the structural defects from the ones caused by the environmental conditions.
650		7	_2inist _aSEMICONDUCTORES ORGANICOS _92608
650		7	_2inist _aORGANIC SEMICONDUCTORS _92609
650		7	_2inist _aPENTACENE _92610
650		7	_2inist _aPENTACENO _92611
653			_aOrganic transitors. _aElectrical characterisation.
710	1		_aComisión Nacional de Energía Atómica. _bInstituto de Tecnología Sabato. _91034
710	1		_aUniversidad de San Martín. _91361
942			_2udc _cTS