000			nmm a22 7a 4500
999			_c31715 _d31715
001			IS/TD-17/03
003			AR-SmCIES
005			20181204140043.0
007			cr c| ---apnua
008			180705s2003 ag ||||fq||d| 00| 0 spa d
035			_aIS/TD-17/03
040			_cAR-SmCIES _aAR-SmCIES
041	0		_aspa
072		7	_2inisscc _aS11
100	1		_aPascuet, Maria Ines _91605
245	1	0	_aInteracción de defectos puntuales con superficies libres.
300			_a129 p.
502			_aTesis para optar al título de Doctor en Ciencia y Tecnología, Mención Materiales, 2003. Director: Dra. Monti Ana Maria; Dr. Pasianot Roberto C. CNEA. Departamento Materiales, Centro Atómico Constituyentes.
520			_aSe utilizó la técnica de relajación estática y potenciales de muchos cuerpos para estudiar la microestructura de superficies libres en Ti-α y Zr-α con orientaciones (0001), (1-210) y (10- 10) y sus interacciones con vacancias y adátamos. Las energías y entropías de formación y migración de defectos puntuales así como las respectivas frecuencias de intento se calcularon para evaluar los factores de correlación y los coeficientes de difusión en la aproximación del camino aleatorio, resultando la difusión en superficie mayor que en volumen. También con la misma técnica se estudió la estructura y energética de escalones en las superficies con las orientaciones mencionadas y se analizó la formación de muescas causadas por vacancias o adátomos. Además se estudió su interacción con el escalón, analizando en qué casos es un cortocircuito para la difusión; resultando que sólo unos pocos de los escalones estudiados podrían comportarse de tal modo, mientras que la mayoría serían más bien trampas (sumideros). Para finalizar, mediante la técnica de dinámica molecular y los mismos potenciales se estudió la estabilidad de las superficies para distintas temperaturas encontrándose nuevos saltos para los defectos puntuales con respecto a los propuestos estáticamente.
710	1		_91034 _aComisión Nacional de Energía Atómica. _bInstituto de Tecnología Sabato.
710	2		_91033 _aUniversidad Nacional de San Martín
942			_2udc _cTS