000			02506mm aa2200193a 44500
000			aIT/T--83/03
003			AR-SmCIES
008			040225s2003 ag fq d # spa#d
040			_aAR-SmCIES
100	1		_aBea, Edgard A.
245	1	0	_aSimulación por dinámica molecular de defectos en la superficie Si(001): comparación con experimentos STM.
260			_c2003.
300			_c118 p.
500			_aCantidad de ejemplares: 1
502			_aTesis para optar al título de Magister en Ciencia y Tecnología de Materiales. Director: Weissmann, Mariana
520			_aLas superficies e interfaces de materiales semiconductores juegan un papel muy importante en la tecnología microelectrónica. En particular, la superficie de silicio (001) motiva por sus aplicaciones un gran interés. La producción de cristales de Si de alta calidad es un desafío tecnológico que involucra procesos de crecimiento homoepitaxial en las superficies de Si. Los defectos en la superficie, vacancias y escalones, influyen de manera crítica en el crecimiento a bajas temperaturas, en consecuencia resulta importante estudiar como afectan la formación de estructuras epitaxiales. La distribución de la densidad electrónica sobre la superficie resuelta en energía refleja ciertas características de la superficie. Los experimentos de microscopía (STM) y espectroscopia (STS) de transmisión túnel son capaces de resolver espacialmente y energéticamente los estados electrónicos de la superficie, sensando localmente la interacción con una punta, dando información directa de la estructura electrónica local. Las imágenes que se obtienen para la superficie Si(001) reflejan detalles "no topográficos" de la superficie, haciendo más difícil la interpretación en términos de su relación con la estructura geométrica que en los metales. En este trabajo estudiamos las propiedades electrónicas y estructurales de la superficie Si(001) y empleamos la teoría clásica de Bardeen para describir el fenómeno de transmisión túnel de electrones. La relajación y difusión de defectos en la superficie se estudió mediante simulación por dinámica molecular tight binding (TBMD). Calculamos la energía de formación de vacancias y escalones, y mostramos las imágenes generadas para modelar los resultados experimentales de STM
590			_aLugar de trabajo: Centro Atómico Constituyentes
710	1		_aComisión Nacional de Energía Atómica. _bInstituto de Tecnología Sabato.
710	1		_aUniversidad Nacional de San Martín.
999			_c26874 _d26874