| 000 | 01630nam a2200373 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 008 | 170703s1957####enka|||f#|||||001 0#eng#d | ||
| 003 | AR-SmCIES | ||
| 041 | 7 |
_aen _2ISO 639-1 |
|
| 080 | _a621.315.59 | ||
| 091 | _a17387 | ||
| 092 | _av. 2 | ||
| 100 | 1 |
_aGibson, Alan F. _eed. |
|
| 245 | 1 | 0 | _aProgress in semiconductors. Volume 2. |
| 260 |
_aLondon : _bHeywood, _c1957. |
||
| 300 |
_a280 p. : _bil., tablas, fot. |
||
| 500 | _aIncl. índice analítico y bibliografía al final de cada capítulo. | ||
| 591 | _aVol.1 ej.1 inv.6097 pertenece a E/9 | ||
| 650 | 7 |
_aMATERIALES SEMICONDUCTORES _2INIS |
|
| 650 | 7 |
_aALEACIONES _2INIS |
|
| 650 | 7 |
_aEFECTOS DE LAS RADIACIONES _2INIS |
|
| 650 | 7 |
_aGERMANIO _2INIS |
|
| 650 | 7 |
_aELECTROLUMINISCENCIA _2INIS |
|
| 700 | 1 |
_aBurgess, R. E. _eed. |
|
| 700 | 1 |
_aAigrain, P. _eed. |
|
| 999 |
_c26355 _d26355 |
||