Interacción de defectos puntuales con superficies libres. (Record no. 31715)

MARC details
035 ## -
-- IS/TD-17/03
040 ## -
-- AR-SmCIES
-- AR-SmCIES
041 0# -
-- spa
072 #7 -
-- inisscc
-- S11
100 1# -
-- Pascuet, Maria Ines
-- 1605
245 10 -
-- Interacción de defectos puntuales con superficies libres.
300 ## -
-- 129 p.
502 ## -
-- Tesis para optar al título de Doctor en Ciencia y Tecnología, Mención Materiales, 2003.<br/><br/>Director: Dra. Monti Ana Maria; Dr. Pasianot Roberto C. CNEA. Departamento Materiales, Centro Atómico Constituyentes.
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-- Se utilizó la técnica de relajación estática y potenciales de muchos cuerpos para estudiar la microestructura de superficies libres en Ti-α y Zr-α con orientaciones (0001), (1-210) y (10- 10) y sus interacciones con vacancias y adátamos. Las energías y entropías de formación y migración de defectos puntuales así como las respectivas frecuencias de intento se calcularon para evaluar los factores de correlación y los coeficientes de difusión en la aproximación del camino aleatorio, resultando la difusión en superficie mayor que en volumen.<br/>También con la misma técnica se estudió la estructura y energética de escalones en las superficies con las orientaciones mencionadas y se analizó la formación de muescas causadas por vacancias o adátomos. Además se estudió su interacción con el escalón, analizando en qué casos es un cortocircuito para la difusión; resultando que sólo unos pocos de los escalones estudiados podrían comportarse de tal modo, mientras que la mayoría serían más bien trampas (sumideros).<br/>Para finalizar, mediante la técnica de dinámica molecular y los mismos potenciales se estudió la estabilidad de las superficies para distintas temperaturas encontrándose nuevos saltos para los defectos puntuales con respecto a los propuestos estáticamente.
710 1# -
-- 1034
-- Comisión Nacional de Energía Atómica.
-- Instituto de Tecnología Sabato.
-- 1033
-- Universidad Nacional de San Martín
999 ## -
-- 31715
-- 31715
942 ## -
-- udc
-- TS

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