Caracterización eléctrica y modelado de memorias no volátiles basadas en óxidos. (Record no. 26990)

MARC details
000 -LEADER
campo de control de longitud fija 05014mm aa2200241a 44500
003 - IDENTIFICADOR DE NÚMERO DE CONTROL
campo de control AR-SmCIES
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20190910095813.0
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 15 07 12014 ag d s spa
040 ## - FUENTE DE CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen AR-SmCIES
Centro/agencia transcriptor AR-SmCIES
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Ghenzi, Néstor
9 (RLIN) 3015
245 10 - MENCIÓN DEL TÍTULO
Título Caracterización eléctrica y modelado de memorias no volátiles basadas en óxidos.
246 1# - FORMA VARIANTE DEL TITULO
Título propio/Titulo breve Electrical characterization and modelling of oxide based non volatile memories.
260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC.
Fecha de publicación, distribución, etc. 2014.
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Dimensiones 251 p.
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Cantidad de ejemplares: 1
502 ## - NOTA DE TESIS
Nota de tesis Tesis para optar al título de Doctor en Ciencia y Tecnología, mención física. Director/es: Levy, Pablo; Sánchez, María José
520 ## - RESUMEN, ETC.
Sumario, etc. En este trabajo se presenta un estudio sobre la conmutación de la resistencia eléctrica en dispositivos formados por estructuras metal -óxido -metal. Se estudiaron dos óxidos paradigmáticos por el tipo de mecanismo que exhiben, la manganita La0.325Pr0.3Ca0.375MnO3 [LPCMO] y el óxido simple TiO2. En la primera parte de la Tesis se analizaron los mecanismos de la conmutación resistiva en dispositivos milimétricos basados en LPCMO cerámico a través de un enfoque teórico -experimental. A partir del entendimiento de la respuesta microscópica utilizando un modelo de migración de defectos, se interpretaron resultados experimentales novedosos con potencial uso tecnológico, como la reducción del umbral necesario para la conmutación, la optimización en el proceso de inicialización, el incremento en la durabilidad de los dispositivos y la mejora de la relación entre los valores de resistencia alta y baja. La segunda parte de la Tesis está dedicada a junturas metal -óxido -metal basadas en películas de TiO2 obtenido por técnicas de dip coating y sputtering reactivo. En este último caso se realizó la microfabricación de dispositivos, utilizando Au, Al y Cu para los electrodos, con áreas de hasta 4 x 4 um2. Se fabricaron arreglos de junturas de Au/TiO2/Al, y se caracterizaron sus procesos de inicialización y los dos modos de conmutación de la resistencia [unipolar y bipolar] obteniendo durabilidades de hasta 104 ciclos de conmutación y retentividades de hasta 105 segundos. Por otra parte se reformuló el modelo de migración de vacancias de oxígeno previamente usado en celdas basadas en manganitas, para reproducir los resultados experimentales obtenidos en dispositivos de TiO2 en configuración de corriente perpendicular al plano de la película. Asimismo, se estudiaron junturas de Au/TiO2/Cu con diferentes procesos de inicialización, encontrando que éstos determinan el tipo de filamento responsable de la conmutación resistiva. A partir de la capacidad implementada para la microfabricación de dispositivos con memoria permanente, se estudió su respuesta en presencia de irradiación con iones de oxígeno, y se desarrolló una plataforma para su estudio en condiciones aeroespaciales.
Sumario, etc. In this work we present an experimental and theoretical study of the resistive switching [RS] phenomena in a complex oxide, La0.325Pr0.3Ca0.375MnO3 [LPCMO], and a simple oxide, TiO2. In the first part of this Thesis we studied the RS in ceramic manganite LPCMO through a theoretical -experimental approach. Microscopic profiles of oxygen vacancy concentration was revealed by the enhanced oxygen vacancy migration [VEOV] model. We found that RS on manganite based devices has a great potential for this novel technology. The understanding of the underlying mechanism allowed to produce a reduced threshold for switching, to control the initialization process, to obtain the increase of the durability by three orders of magnitude, and to attain an improved relationship between high and low resistance values. In the second part, we designed and micro-fabricated memory cell arrays. Tests were conducted using TiO2 obtained by the dip coating and reactive sputtering techniques. Au, Al, Cu and Ag were used for the electrodes. The devices were characterized [i] morphologically by AFM, ellipsometry, x-ray diffraction, and SEM in parallel and transversal view and [ii] electrically by the pulsed and dc measurements resulting in a durability of 104 cycles and a retention of 105 s. The reformulated VEOV migration model of oxygen vacancies reproduced the experimental results sufficiently in TiO2. Au/TiO2/Cu junctions were studied with different electroforming polarities, which determines the nature of the conductive filament responsible of the resistive switching. In this configuration three stable states were achieved. Based in the microfabricated devices with memory properties, we studied its response under heavy ions irradiation and we designed and built a fully functional prototype for testing in aerospace conditions.
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN)
Nota local Lugar de trabajo: Centro Atómico Constituyentes
710 1# - ENTRADA AGREGADA--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada Comisión Nacional de Energía Atómica.
Unidad subordinada Instituto de Tecnología Sabato.
9 (RLIN) 1034
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada Universidad Nacional de San Martín.
9 (RLIN) 1033
942 ## - ELEMENTOS DE ENTRADA SECUNDARIOS (KOHA)
Fuente de la clasificación o esquema de estantería Universal Decimal Classification
Tipo de ítem Koha Thesis
Holdings
Estatus retirado Estado de pérdida Fuente de la clasificación o esquema de estantería Estado de daño No para préstamo Biblioteca de origen Biblioteca actual Fecha de adquisición Número de inventario Signatura topográfica completa Código de barras Visto por última vez Precio de reemplazo Tipo de ítem Koha
    Dewey Decimal Classification     Centro de Información Eduardo Savino Centro de Información Eduardo Savino 02/10/2018 IS/TD--83/14 IS/TD--83/14 IS/TD--83/14 02/10/2018 02/10/2018 Thesis