Simulación por dinámica molecular de defectos en la superficie Si(001): comparación con experimentos STM. (Record no. 26874)

MARC details
000 -LEADER
campo de control de longitud fija 02506mm aa2200193a 44500
000 - LEADER
campo de control de longitud fija aIT/T--83/03
003 - IDENTIFICADOR DE NÚMERO DE CONTROL
campo de control AR-SmCIES
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 040225s2003 ag fq d # spa#d
040 ## - FUENTE DE CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen AR-SmCIES
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Bea, Edgard A.
245 10 - MENCIÓN DEL TÍTULO
Título Simulación por dinámica molecular de defectos en la superficie Si(001): comparación con experimentos STM.
260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC.
Fecha de publicación, distribución, etc. 2003.
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Dimensiones 118 p.
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Cantidad de ejemplares: 1
502 ## - NOTA DE TESIS
Nota de tesis Tesis para optar al título de Magister en Ciencia y Tecnología de Materiales. Director: Weissmann, Mariana
520 ## - RESUMEN, ETC.
Sumario, etc. Las superficies e interfaces de materiales semiconductores juegan un papel muy importante en la tecnología microelectrónica. En particular, la superficie de silicio (001) motiva por sus aplicaciones un gran interés. La producción de cristales de Si de alta calidad es un desafío tecnológico que involucra procesos de crecimiento homoepitaxial en las superficies de Si. Los defectos en la superficie, vacancias y escalones, influyen de manera crítica en el crecimiento a bajas temperaturas, en consecuencia resulta importante estudiar como afectan la formación de estructuras epitaxiales. La distribución de la densidad electrónica sobre la superficie resuelta en energía refleja ciertas características de la superficie. Los experimentos de microscopía (STM) y espectroscopia (STS) de transmisión túnel son capaces de resolver espacialmente y energéticamente los estados electrónicos de la superficie, sensando localmente la interacción con una punta, dando información directa de la estructura electrónica local. Las imágenes que se obtienen para la superficie Si(001) reflejan detalles "no topográficos" de la superficie, haciendo más difícil la interpretación en términos de su relación con la estructura geométrica que en los metales. En este trabajo estudiamos las propiedades electrónicas y estructurales de la superficie Si(001) y empleamos la teoría clásica de Bardeen para describir el fenómeno de transmisión túnel de electrones. La relajación y difusión de defectos en la superficie se estudió mediante simulación por dinámica molecular tight binding (TBMD). Calculamos la energía de formación de vacancias y escalones, y mostramos las imágenes generadas para modelar los resultados experimentales de STM
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN)
Nota local Lugar de trabajo: Centro Atómico Constituyentes
710 1# - ENTRADA AGREGADA--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada Comisión Nacional de Energía Atómica.
Unidad subordinada Instituto de Tecnología Sabato.
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada Universidad Nacional de San Martín.
Holdings
Estatus retirado Estado de pérdida Fuente de la clasificación o esquema de estantería Estado de daño No para préstamo Biblioteca de origen Biblioteca actual Fecha de adquisición Número de inventario Signatura topográfica completa Código de barras Visto por última vez Precio de reemplazo Tipo de ítem Koha
    Dewey Decimal Classification     Centro de Información Eduardo Savino Centro de Información Eduardo Savino 02/10/2018 IT/T--83/03 IT/T--83/03 IT/T--83/03 02/10/2018 02/10/2018 Thesis