Deposición electroquímica y caracterización de películas de fosfuro de indio. (Record no. 26817)

MARC details
000 -LEADER
campo de control de longitud fija 03370mm aa2200229a 44500
003 - IDENTIFICADOR DE NÚMERO DE CONTROL
campo de control AR-SmCIES
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20201102103314.0
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 971118s1997 ag fq d # spa#d
040 ## - FUENTE DE CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen AR-SmCIES
Centro/agencia transcriptor AR-SmCIES
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Gueijman, Sergio Fabian
9 (RLIN) 3733
245 10 - MENCIÓN DEL TÍTULO
Título Deposición electroquímica y caracterización de películas de fosfuro de indio.
260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC.
Fecha de publicación, distribución, etc. 1997.
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Cantidad de ejemplares: 1
502 ## - NOTA DE TESIS
Nota de tesis Tesis para optar al título de Magister en Ciencia y Tecnología de Materiales.
520 3# - RESUMEN, ETC.
Sumario, etc. En el trabajo se realizaron tanto la deposición electroquímica galvanostática de películas de fosfuro de indio a partir de soluciones acuosas de haxaflúor fosfuro de amonio y cloruro de indio, como su caracterización estructural. Se diseñó y contruyó un dispositivo experimental para el estudio de dicha deposició, describiéndose las características y la calibración de los sensores e instrumentos de medición de las principales variables que afectan a la deposición del material. Se obtuvieron depósitos de fosfuro de indio sobre substratos de titanio, silicio, grafito y vidrio conductor eléctrico de SnO2 dopado con flúor, a partir de soluciones acuosas de cloruro de indio (98 percent de pureza) y de hexaflúor de amonio (99.99 percent de pureza) con concentraciones cercanas a los 1.25mM y 58.62mM respectivamente. El pH de la solución se mantuvo en un valor ácido cercano a 2.00. Los depósitos se hicieron a varias temperaturas, (ambiente hasta 50°C), y se trabajó con densidades de corriente de 20 a 140 mA/cm² y tiempos de deposición entre 7 minutos y una hora. Se usó un método de cálculo de espesores para películas delgadas de fosfuro de indio sobre distintos substratos, partiendo de mediciones de la concentración atómica normalizada obtenida con microsonda electrónica. Se efectuaron caracterizaciones superficiales de los depósitos mediante microscopía óptica, de barrido y de transmisión, además de análisis cualitativos y cuantitativos de la composición y estructuras de los depósitos mediante microanálisis dispersivo en energía (EDAX), microanálisis dispersivo en longitud de onda (WDS) y mediante difracción de rayos X. Los estudios muestran la presencia de un compuesto cercano a la estequiometría de fosfuro de indio, además de cristales de InP del sistema cúbico (subgrupos espaciales Fm3m y F-43m), junto con trazas de cristales de fósforo elemental e indio elemental. Se calcularon los espesores de las películas electrodepositadas por diferentes técnicas, las áreas superficiales, la rugosidad superficial en diferentes condiciones de deposición, así como el tamaño promedio de los cristales, los parámetros de red del InP cristalino y la resistividad de las películas sobre substrato de vidrio conductor eléctrico. Se analizaron, finalmente, algunas de las causas de los defectos encontrados en las películas y depósitos.
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN)
Nota local Lugar de trabajo: Centro Atómico Constituyentes=590 \\
-- Lugar de trabajo: Facultad de Ciencias Exactas, Químicas y Naturales, Univ. Nac. de Misiones
700 1# - ENTRADA AGREGADA--NOMBRE PERSONAL
Nombre de persona Schvezov, Carlos
Término indicativo de función/relación Director
9 (RLIN) 3734
Nombre de persona Lamagna, Alberto
Término indicativo de función/relación Director
9 (RLIN) 3735
710 1# - ENTRADA AGREGADA--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada Comisión Nacional de Energía Atómica.
Unidad subordinada Instituto de Tecnología Sabato.
9 (RLIN) 1034
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada Universidad Nacional de San Martín.
9 (RLIN) 1033
942 ## - ELEMENTOS DE ENTRADA SECUNDARIOS (KOHA)
Fuente de la clasificación o esquema de estantería Universal Decimal Classification
Tipo de ítem Koha Thesis
Holdings
Estatus retirado Estado de pérdida Fuente de la clasificación o esquema de estantería Estado de daño No para préstamo Biblioteca de origen Biblioteca actual Fecha de adquisición Número de inventario Signatura topográfica completa Código de barras Visto por última vez Precio de reemplazo Tipo de ítem Koha
    Dewey Decimal Classification     Centro de Información Eduardo Savino Centro de Información Eduardo Savino 02/10/2018 IT/T--24/97 IT/T--24/97 IT/T--24/97 02/10/2018 02/10/2018 Thesis