MARC details
| 000 -LEADER |
|---|
| campo de control de longitud fija |
nam a22 a 4500 |
| 003 - IDENTIFICADOR DE NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
AR-SmCIES |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20190115153206.0 |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
180425s2016 gw a|||frfn|| 001 0 eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783527334179 |
| 041 ## - CÓDIGO DE IDIOMA |
|---|
| Código de lengua del texto/banda sonora o título independiente |
eng |
| 044 ## - CÓDIGO DEL PAÍS DE LA ENTIDAD EDITORA/PRODUCTORA |
|---|
| Código MARC del país |
gw |
| 080 0# - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL UNIVERSAL |
|---|
| Número de la Clasificación Decimal Universal |
620.3 |
| 245 00 - MENCIÓN DEL TÍTULO |
|---|
| Título |
Resistive switching : |
| Resto del título |
from fundamentals of nanionic redox processes to memristive device applications / |
| Mención de responsabilidad, etc. |
edited by Daniele Ielmini and Rainer Waser. |
| 260 1# - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC. |
|---|
| Lugar de publicación, distribución, etc. |
Weinheim, Germany : |
| Nombre del editor, distribuidor, etc. |
Wiley-VCH, |
| Fecha de publicación, distribución, etc. |
c2016. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
xviii, 755 p. : |
| Otros detalles físicos |
il. (principalmente col.), diagrs. ; |
| Dimensiones |
24 cm. |
| 504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC. |
|---|
| Nota de bibliografía, etc. Nota |
Incluye bibliografía al final de cada capítulo e índice analítico. |
| 505 00 - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Título |
1. Introduction to nanoionic elements for information technology / |
| Mención de responsabilidad |
Rainer Waser, Daniele Ielmini, Hiro Akinaga, Hisashi Shima, H.-S. Philip, Wong, Joshua J. Yang, and Simon Yu -- |
| Título |
2. ReRAM Cells in the framework of two-terminal devices / |
| Mención de responsabilidad |
E. Linn, M. Di Ventra, and Y. V. Pershin -- |
| Título |
3. Atomic and electronic structure of oxides / |
| Mención de responsabilidad |
Tobias Zacherle, Peter C. Schmidt, and Mandfred Martin -- |
| Título |
4. Defect structure of metal oxides / |
| Mención de responsabilidad |
Giuliano Gregori -- |
| Título |
5. Ion transport in metal oxides / |
| Mención de responsabilidad |
Roger A. De Souza -- |
| Título |
6. Electrical transport in transition metal oxides / |
| Mención de responsabilidad |
Franklin J. Wong and Shriram Ramanathan -- |
| Título |
7. Quantum point contact conduction / |
| Mención de responsabilidad |
Jan van Ruitenbeek, Monica Morales Masis, and Enrique Miranda -- |
| Título |
8. Dielectric breakdown process / |
| Mención de responsabilidad |
Jordi Suñé, Nagarajan Raghavan, and K. L. Pey -- |
| Título |
9. Physics and chemistry of nanoionic cells / |
| Mención de responsabilidad |
Ilia Valov and Rainer Waser -- |
| Título |
10. Electroforming processes in metal oxide resistive-switching cells / |
| Mención de responsabilidad |
Doo Seok Jeong, Byung Joon Choi, Cheol Seong Hwang -- |
| Título |
11. Universal switching behavior / |
| Mención de responsabilidad |
Daniele Ielmini and Stephan Menzel -- |
| Título |
12. Quasitastic and pulse measuring techniques / |
| Mención de responsabilidad |
Antonio Torrezan, Gilberto Mederiros-Ribeiro, and Stephan Tiedke -- |
| Título |
13. Unipolar resistive-switching mechanisms / |
| Mención de responsabilidad |
Ludovic Goux and Sabina Spiga -- |
| Título |
14. Modeling the VCM- and ECM-Type Switching Kinetics / |
| Mención de responsabilidad |
Stephan Menzel and Ji-Hyun Hur -- |
| Título |
15. Valence change observed by nanospectroscopy / |
| Mención de responsabilidad |
Christian Lenser, Regina Dittmann, and John Paul Strachan -- |
| Título |
16. Interface-type switching / |
| Mención de responsabilidad |
Akihito Sawa and Rene Meyer -- |
| Título |
17. Electrochemical metallization memories / |
| Mención de responsabilidad |
Michael N. Kozicki, Maria Mitkova, and Ilia Valov -- |
| Título |
18. Atomic Switches / |
| Mención de responsabilidad |
Kazuya Terabe, Tohru Tsuruoka, Tsuyoshi Hasegawa, Alpana Nayak, Takeo Ohno, Tomonobu Nakayama, and Masakazu Aono -- |
| Título |
19. Scaling limits of nanoionic devices / |
| Mención de responsabilidad |
Victor Zhirnov and Gurtej Sandhu -- |
| Título |
20. Integration technology and cell design / |
| Mención de responsabilidad |
Fred Chen, Jun Y. Seok, and Cheol S. Hwang -- |
| Título |
21. Reliability aspects / |
| Mención de responsabilidad |
Dirk J. Wouters, Yang-Yin Chen, Andrea Fantini, and Nagarajan Raghavan -- |
| Título |
22. Select device concepts for crossbar arrays / |
| Mención de responsabilidad |
Geoffrey W. Burr, Rohit S. Shenoy, and Hyunsang Hwang -- |
| Título |
23. Bottom-up approaches for resistive switching memories / |
| Mención de responsabilidad |
Sabina Spiga, Takeshi Yanagida, and Tomoji Kawai -- |
| Título |
24. Switch application in FPGA / |
| Mención de responsabilidad |
Toshitsugu Sakamoto, S. Simon Wong, and Young Yang Liauw -- |
| Título |
25. ReRAM-based neuromorphic computing / |
| Mención de responsabilidad |
Giacomo Indiveri, Eike Linn, and Stefano Ambrogio. |
| 650 17 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
INIS |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
NANOTECNOLOGIA |
| 9 (RLIN) |
288 |
|
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
INIS |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
NANOELECTRONICA |
| 9 (RLIN) |
294 |
|
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
INIS |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
CIRCUITOS ELECTRONICOS |
| 9 (RLIN) |
295 |
|
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
INIS |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
CIRCUITOS DE CONMUTACION |
| 9 (RLIN) |
296 |
|
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
INIS |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
CONDUCTIVIDAD ELECTRICA |
| 9 (RLIN) |
297 |
|
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
INIS |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
MEMORIAS |
| 9 (RLIN) |
298 |
|
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
INIS |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
DISPOSITIVOS DE MEMORIAS DE CAPA DELGADA |
| 9 (RLIN) |
289 |
|
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
INIS |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
MEMORIAS MAGNETICAS |
| 9 (RLIN) |
290 |
|
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
INIS |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES |
| 9 (RLIN) |
291 |
|
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
INIS |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
MATERIALES |
| 9 (RLIN) |
104 |
|
|---|
| 9 (RLIN) |
292 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
INGENIERIA ELECTRICA |
| Fuente del encabezamiento o término |
inist |
|
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
INIS |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
FISICA DEL ESTADO SOLIDO |
| 9 (RLIN) |
293 |
| 653 10 - TÉRMINO DE INDIZACIÓN--NO CONTROLADO |
|---|
| Término no controlado |
Materia condensada |
| -- |
ReRAM |
| 942 ## - ELEMENTOS DE ENTRADA SECUNDARIOS (KOHA) |
|---|
| Fuente de la clasificación o esquema de estantería |
Universal Decimal Classification |
| Tipo de ítem Koha |
Books |
| Parte de clasificación |
620.3 |
